Samsung tiên phong sản xuất DRAM di động 12Gb LPDDR5 cho smartphone

Dựa trên tiêu chuẩn DRAM di động mới nhất, Samsung 12Gb LPDDR5 mới tối đa hóa tiềm năng của các tính năng 5G và AI trong các flagship trong tương lai.

Xem thêm : Samsung có số lượng bằng sáng chế AI cao thứ 3 thế giới

Samsung Electronics, công ty hàng đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, hôm nay tuyên bố rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM di động LPDDR5 12 gigabit (Gb) đầu tiên trong ngành, được tối ưu hóa để kích hoạt tính năng 5G và AI trong điện thoại thông minh trong tương lai. Bộ nhớ di động mới xuất hiện chỉ năm tháng sau khi công bố sản xuất hàng loạt LPDDR4X 12GB, tiếp tục củng cố dòng sản phẩm bộ nhớ cao cấp của công ty. Samsung cũng có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt gói LPDDR5 12 GB (GB) vào cuối tháng này, mỗi gói kết hợp tám chip 12Gb, phù hợp với nhu cầu ngày càng tăng về hiệu năng và dung lượng điện thoại thông minh cao hơn từ các nhà sản xuất điện thoại thông minh cao cấp.

Samsung tiên phong sản xuất DRAM di động 12Gb LPDDR5 cho smartphone

Jung-bae Lee, giám đốc điều hành, cho biết, với việc sản xuất hàng loạt LPDDR5 12Gb được xây dựng trên quy trình lớp 10 nanomet (nm) thế hệ thứ hai mới nhất của Samsung, chúng tôi rất vui mừng được hỗ trợ ra mắt kịp thời các điện thoại thông minh 5G cho khách hàng trên toàn thế giới. phó chủ tịch của DRAM Product & Technology, Samsung Electronics. Samsung vẫn cam kết nhanh chóng giới thiệu các công nghệ bộ nhớ di động thế hệ tiếp theo mang lại hiệu năng cao hơn và dung lượng cao hơn. Samsung tiếp tục thúc đẩy mạnh mẽ sự tăng trưởng của thị trường bộ nhớ cao cấp.

Nhờ tốc độ và hiệu quả năng lượng hàng đầu trong ngành, DRAM di động mới của Samsung có thể cho phép các điện thoại thông minh thế hệ tiếp theo tận dụng tối đa các khả năng 5G và AI như quay video độ phân giải cực cao và học máy, đồng thời giúp kéo dài thời lượng pin.

 Với tốc độ dữ liệu 5.500 megabit mỗi giây (Mb / giây), LPDDR5 12Gb nhanh hơn khoảng 1,3 lần so với bộ nhớ di động trước đây (LPDDR4X, 4266Mb / giây) được tìm thấy trong các điện thoại thông minh cao cấp hiện nay. Khi được tạo thành gói 12 GB, LPDDR5 có thể truyền 44 GB dữ liệu hoặc khoảng 12 phim full-HD (cỡ 3,7 GB), chỉ trong một giây. Con chip mới này cũng sử dụng năng lượng ít hơn tới 30% so với thiết bị tiền nhiệm bằng cách tích hợp thiết kế mạch mới với tính năng xung nhịp, đào tạo và năng lượng thấp, đảm bảo hiệu suất ổn định ngay cả khi hoạt động ở tốc độ nhanh.

 Để quản lý năng lực sản xuất linh hoạt hơn, Samsung đang xem xét chuyển sản xuất 12Gb LPDDR5 sang Pyeongtaek (Hàn Quốc) bắt đầu vào năm tới. Tùy thuộc vào nhu cầu của khách hàng toàn cầu. Sau khi giới thiệu DRAM di động 12Gb LPDDR5, Samsung hy vọng cũng sẽ phát triển LPDDR5 16Gb vào năm tới, để củng cố lợi thế cạnh tranh của mình trên thị trường bộ nhớ toàn cầu.

 Tham khảo các DRAM di động của Samsung theo dòng thời gian: 

Ngày Dung lượng  DRAM di động
Tháng 7 năm 2019 12 GB LPDDR5 lớp 10nm, 5500Mb / giây
Tháng 6 năm 2019 6GB LPDDR5 lớp 10nm, 5500Mb / giây
Tháng 2 năm 2019 12 GB LPDDR4X 10nm loại 16nm, 4266Mb / s
Tháng 4 năm 2018 8GB LPDDR5 lớp 10nm, 6400Mb / giây
Tháng 9 năm 2016 8GB LPDDR4X 10nm loại 16nm, 4266Mb / s
Tháng 8 năm 2015 6GB 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb / giây
Tháng 12 năm 2014 4GB 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb / giây
Tháng 9 năm 2014 3 GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Tháng 11 năm 2013 3 GB LPDDR3 lớp 20nm, 2133Mb / giây
Tháng 7 năm 2013 3 GB 4Gb LPDDR3 loại 20nm, 2133Mb / giây
Tháng 4 năm 2013 2GB 4Gb LPDDR3 loại 20nm, 2133Mb / giây
Tháng 8 năm 2012 2GB 4Gb LPDDR3 loại 30nm, 1600Mb / giây
2011 1 / 2GB 4Gb LPDDR2 loại 30nm, 1066Mb / giây
2010 512MB MDDR 40G loại 40nm, 400Mb / giây
2009 256 MB MDDR 50G loại 1nm, 400Mb / giây

Trích nguồn tin từ samsung.com

Đánh giá
No